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      產(chǎn)品展示/ Product display

      您的位置:首頁(yè)  /  產(chǎn)品展示  /  華科智源半導(dǎo)體測(cè)試  /  靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀  /  HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
      大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

      華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車(chē),風(fēng)力發(fā)電,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

      • 產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1200A-MT
      • 廠商性質(zhì):代理商
      • 更新時(shí)間:2025-12-18
      • 訪  問(wèn)  量:2521
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      聯(lián)系電話:13421301530

      詳細(xì)介紹
      品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
      應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,汽車(chē)及零部件,電氣測(cè)量類型多種IGBT、MOS管
      脈沖電流1200A電壓5KV
      脈沖寬度50uS~300uSVce測(cè)量精度2mV
      Vce測(cè)量范圍>10V

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      大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀



      產(chǎn)品介紹

      深圳市華科智源科技有限公司是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳,業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀。HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測(cè)試 , 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車(chē) ,風(fēng)力發(fā)電 ,變頻器, 焊機(jī)行業(yè)的  IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。


      主要特點(diǎn)

      A:測(cè)量多種IGBT、MOS管 

      B:最大脈沖電流1200A,電壓5KV,大功率測(cè)試

      C:脈沖寬度 50uS~300uS

      D:Vce測(cè)量精度2mV

      E:Vce測(cè)量范圍>10V F:電腦圖形顯示界面

      G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

      H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

      I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 


      測(cè)試項(xiàng)目
      A:ICES  集電極-發(fā)射極漏電流
      B:IGESF 正向柵極漏電流  IGESR 反向柵極漏電流
      C:BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
      D:VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
      E:VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
      F:ICON 通態(tài)電極電流
      G:VGEON 通態(tài)柵極電壓
      H:VF 二極管正向?qū)▔航?/span>


      Vce-Ic特征曲線


      image.png


      Vgth-Vce特征曲線

      image.png




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